⚡
Double Pulse Test (DPT) Switching Waveforms
Turn-On Energy (Eon)
0.84mJ
Turn-Off Energy (Eoff)
0.52mJ
Voltage Overshoot (ΔV)
+84V
Total Switching Loss
136W
💡 การวิเคราะห์ฟิสิกส์การสวิตชิ่งและกำลังสูญเสีย (Power Switching Analysis)
ในอุปกรณ์ 4H-SiC MOSFET ที่แรงดันบัส 800V และกระแสโหลด 60A การสลับสถานะทำได้อย่างรวดเร็วมากด้วยความเร็ว \(di/dt = 10.5\text{ A/ns}\) ทำให้เกิดแรงดันกระชาก (Voltage Overshoot) \(\Delta V = L_s \cdot \frac{di}{dt} = 84\text{ V}\) ส่งผลให้แรงดันยอดคลื่น $V_{DS,peak} = 884\text{ V}$ ซึ่งยังคงอยู่ในพิกัดปลอดภัย 1200V Breakdown
• di/dt = 10.5 A/ns
• dv/dt = 65.0 V/ns
• Qrr (Recovery) = 120 nC
• Peak Power =
48.0 kW