Bossier Plot (CD vs Focus)
UNIT: nm / nm
Resist Profile (Cross-section)
แสดงรูปร่างของสาร Photoresist หลังจากกระบวนการพัฒนา (Development)
Current CD
45.0 nm
CD Error
0.0%
Sidewall Angle
88.5°
Resolution (R)
90.8 nm
Depth of Focus (DOF)
96.6 nm
Exposure Status
OPTIMAL
💡 Misconception & Intuition Fixer // ความเข้าใจผิดด้านกำลังแยกภาพ (Resolution)
❌ ความเข้าใจผิด: \"การเพิ่มค่า Numerical Aperture (NA)
เพื่อลดขนาดฟีเจอร์ไม่มีผลเสียใดๆ\"
ความจริง: แม้ว่าค่า NA ที่สูงขึ้นจะช่วยปรับปรุงกำลังแยกภาพ
(Resolution: $R \propto 1/NA$) ให้เล็กลงได้ดีขึ้นจริง
แต่ผลกระทบที่หลีกเลี่ยงไม่ได้คือ
ช่วงความลึกของโฟกัสจะแคบลงอย่างรวดเร็วมาก (DOF $\propto 1/NA^2$)
ซึ่งทำให้กระบวนการโฟกัสทนทานต่อความหนาของแผ่นเวเฟอร์หรือความขรุขระน้อยลงอย่างรวดเร็ว
❌ ความเข้าใจผิด: \"ถ้ากำลังแยกภาพเชิงทฤษฎี R ต่ำกว่าขนาดฟีเจอร์เป้าหมาย
จะต้องผลิตสำเร็จเสมอปราศจากความผิดเพี้ยน\"
ความจริง: ปัญหาเรื่อง **Photon Stochastics (สุ่มความหนาแน่นโฟตอน)**
หรือตุ่มสาดแสงในโหมด EUV จะสุ่มทำลายรูปแบบความแม่นยำแม้แสงมี Resolution เพียงพอ
การเปิดค่าแสงหรือสเปกตรัมที่บิดเบี้ยวจะกระตุ้นให้เกิด Defect ลายขาด ลายแตะกัน
ซึ่งต้องอาศัยการชดเชยด้วย Dose และ OPC