Bossier Plot (CD vs Focus)
UNIT: nm / nm
Resist Profile (Cross-section)

แสดงรูปร่างของสาร Photoresist หลังจากกระบวนการพัฒนา (Development)

Current CD
45.0 nm
CD Error
0.0%
Sidewall Angle
88.5°
Resolution (R)
90.8 nm
Depth of Focus (DOF)
96.6 nm
Exposure Status
OPTIMAL
💡 Misconception & Intuition Fixer // ความเข้าใจผิดด้านกำลังแยกภาพ (Resolution)
❌ ความเข้าใจผิด: \"การเพิ่มค่า Numerical Aperture (NA) เพื่อลดขนาดฟีเจอร์ไม่มีผลเสียใดๆ\"
ความจริง: แม้ว่าค่า NA ที่สูงขึ้นจะช่วยปรับปรุงกำลังแยกภาพ (Resolution: $R \propto 1/NA$) ให้เล็กลงได้ดีขึ้นจริง แต่ผลกระทบที่หลีกเลี่ยงไม่ได้คือ ช่วงความลึกของโฟกัสจะแคบลงอย่างรวดเร็วมาก (DOF $\propto 1/NA^2$) ซึ่งทำให้กระบวนการโฟกัสทนทานต่อความหนาของแผ่นเวเฟอร์หรือความขรุขระน้อยลงอย่างรวดเร็ว
❌ ความเข้าใจผิด: \"ถ้ากำลังแยกภาพเชิงทฤษฎี R ต่ำกว่าขนาดฟีเจอร์เป้าหมาย จะต้องผลิตสำเร็จเสมอปราศจากความผิดเพี้ยน\"
ความจริง: ปัญหาเรื่อง **Photon Stochastics (สุ่มความหนาแน่นโฟตอน)** หรือตุ่มสาดแสงในโหมด EUV จะสุ่มทำลายรูปแบบความแม่นยำแม้แสงมี Resolution เพียงพอ การเปิดค่าแสงหรือสเปกตรัมที่บิดเบี้ยวจะกระตุ้นให้เกิด Defect ลายขาด ลายแตะกัน ซึ่งต้องอาศัยการชดเชยด้วย Dose และ OPC